yy.vip易游-隆达电子申请封装结构及其形成方法专利第二部分在傅立叶转换红外光谱的测量结果中波数1060cm⁻¹至1080cm⁻¹的最大强度与波数78至80

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　　国家知识产权局信息显示，隆达电子股份有限公司申请一项名为“封装结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121013540 A，申请日期为2025年5月。

　　专利摘要显示，本发明公开一种封装结构及其形成方法。封装结构包括基底、半导体元件、包裹层、盖层及电连接结构。半导体元件设置于基底上。包裹层设置于基底上，包裹层包覆半导体元件，并露出半导体元件的顶面。盖层设置于包裹层及半导体元件上，并包括第一部分及第二部分。第一部分覆盖并接触半导体元件的顶面。第二部分覆盖并接触包裹层，其中在傅立叶转换红外光谱的测量结果中，第二部分在波数1060cm⁻¹至波数1080cm⁻¹的最大强度与第二部分在波数780cm⁻¹至波数800cm⁻¹的最大强度之间的比值大于0.65。电连接结构设置于基底上，并穿过基底及包裹层以与半导体元件电连接。

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